Toshiba XPQR3004PB 40V 400A汽車級MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET的RDS(ON) 為0.23 mΩ(典型值),電流為400A,閾值電壓 (Vth) 為2V至3V。其他產品特色還包括+175°C最高作業溫度,和10 μA最大漏電流 (VDS = 40V)。Toshiba XPQR3004PB MOSFET採用L-TOGL封裝,具有0.2°C/W的熱阻抗和750W的功耗。此裝置已通過AEC-Q101認證,非常適合汽車應用、切換電壓穩壓器、馬達驅動器和DC-DC轉換器。

規格

  • 符合AEC-Q101標準
  • 汲極電流 (DC):400A
  • 汲極-源極電壓:40V
  • 功耗:750W
  • 低汲極-源極導通電阻RDS(ON) = 0.23mΩ(典型值)(VGS = 10V)
  • 熱阻抗:0.2°C/W
  • 最大漏電流 (VDS = 40V):10 µA
  • 強化模式(VDS = 10V,ID = 1 mA):2V至3V  
  • 單脈衝突崩能量:624mJ 
  • 最高作業溫度:175°C
  • 存放溫度範圍:-55°C至+175°C

應用

  • 汽車
  • 切換電壓穩壓器
  • 馬達驅動器
  • DC-DC轉換器

影片

切換時間測試電路

Toshiba XPQR3004PB 40V 400A汽車級MOSFET

封裝和內部電路

Toshiba XPQR3004PB 40V 400A汽車級MOSFET

尺寸圖 (mm)

機械製圖 - Toshiba XPQR3004PB 40V 400A汽車級MOSFET
發佈日期: 2023-02-01 | 更新日期: 2025-08-06