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圖像: Product 755-BSM300D12P3E005 Product 755-BSM300D12P4G101
Mouser 元件編號: 755-BSM300D12P3E005 755-BSM300D12P4G101
製造商的零件編號: BSM300D12P3E005 BSM300D12P4G101
製造商: ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
說明: MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge MOSFET模組 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
壽命週期: Not Recommended for New Designs -
規格書: BSM300D12P3E005 規格書 (PDF) BSM300D12P4G101 規格書 (PDF)
RoHS:    

規格

品牌: ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
配置: Dual Dual
組裝國家: Not Available Not Available
擴散國: Not Available Not Available
原產國: JP JP
下降時間: 50 ns 57 ns
高度: 15.4 mm -
Id - C連續漏極電流: 300 A 291 A
長度: 152 mm 152 mm
製造商: ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
最高工作溫度: + 150 C + 150 C
最低工作溫度: - 40 C - 40 C
安裝風格: Screw Mount Screw Mount
通道數: 2 Channel 2 Channel
封裝/外殼: Module Module
封裝: Bulk Bulk
Pd - 功率消耗 : 1.26 kW 925 W
產品類型: MOSFET Modules MOSFET Modules
上升時間: 35 ns 45 ns
RoHS - 貿澤: Y Y
標準包裝數量: 4 4
子類別: Discrete and Power Modules Discrete and Power Modules
技術: SiC SiC
晶體管極性: N-Channel N-Channel
類型: SiC Power Module SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 210 ns 270 ns
標準開啟延遲時間: 30 ns 63 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV 1.2 kV
Vgs - 閘極-源極電壓: - 4 V, + 22 V - 4 V, + 21 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.6 V 4.8 V
Vr - 反向電壓: 1.2 kV -
寬度: 62 mm 62 mm

訂購資訊

庫存: 4 可立即送貨 4 可立即送貨
工廠前置作業時間: 27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
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