IXBT14N300HV

Name: IXYS IXBT14N300HV
Brand: IXYS
SKU: 576-IXBT14N300HV
Price: 406.48 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

576-IXBT14N300HV

製造商編號：

IXBT14N300HV

製造商：

IXYS

說明：

IGBT IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

規格書:

IXBT14N300HV 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$406.48	HK$406.48
	HK$320.91	HK$3,209.10
	HK$302.09	HK$36,250.80

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	3 kV
集電極-發射極飽和電壓:	2.7 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	38 A
Pd - 功率消耗 :	200 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	Very High Voltage
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	KR
濕度敏感:	Yes
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	30
子類別:	IGBTs
公司名稱:	BIMOSFET

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規格書

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.