IXYS BIMOSFET IGBT

結果: 38
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT 2,747庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 75A 3,219庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBT SMPDB 3KV 22A IGBT 262庫存量
300在途量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds 258庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube
IXYS IGBT BIMOSET 42A 1700V 297庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT 300庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 281庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A 314庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBX75N170 Tube

IXYS IGBT 1700V 16A 1,179庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds 155庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXBH6N170 Tube
IXYS IGBT 1700V 16A 239庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBT16N170 Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 60A 214庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT 301庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3.6 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 18 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A 659庫存量
450在途量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube

IXYS IGBT 1700V 75A 661庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET 277庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT 445庫存量
540在途量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Planar Tube

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT 199庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 55 A 300 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds 231庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBH10N170 Tube
IXYS IGBT 1700V 25A 13庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 40 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
最少: 1
倍數: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT TO263 3KV 14A HI GAIN 無庫存前置作業時間 48 週
最少: 300
倍數: 50

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+ 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT 無庫存前置作業時間 38 週
最少: 300
倍數: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube