IXYS IXFH36N55 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 550 V 36 A 160 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 550 V 36 A 180 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube