IXYS IXTK200N10 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
規格書
673庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET L2 Linear Power MOSFET
規格書
6庫存量
1,525在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube