IXYS IXTP1N100 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
IXYS MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
規格書
400庫存量
400在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.2 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 38 週
最少： 300
倍數： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube