IXYS IXTP36N30 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds 4,629庫存量
2,050在途量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms Tube