UJ4SC 系列 碳化矽MOSFET

結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263 1,207庫存量
800在途量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL 857庫存量
1,884在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL 1,303庫存量
1,970在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL 1,475庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263- 444庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263 322庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247 536庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247- 5庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL 2,000工廠有庫存
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247- 無庫存前置作業時間 31 週
最少: 600
倍數: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET