IXYS HiPerFET 系列 MOSFET

結果: 105
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 200V 120A
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 26 A 300 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 100 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 300V 90A
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 360 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube