|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
- SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$164.48
-
無庫存前置作業時間 22 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT018HU65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
|
HK$164.48
|
|
|
HK$131.77
|
|
|
HK$123.71
|
|
|
HK$105.05
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
60 A
|
29 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
82.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
388 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
- SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$104.89
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT018W65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55 A
|
27 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
398 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
- SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$167.28
-
無庫存前置作業時間 22 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT019W120G3-4AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
|
HK$167.28
|
|
|
HK$139.41
|
|
|
HK$137.69
|
|
|
HK$120.83
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
90 A
|
26 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
4.2 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
486 W
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
- SCT020H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$151.58
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT020H120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
|
HK$151.58
|
|
|
HK$121.41
|
|
|
HK$104.97
|
|
|
HK$104.89
|
|
|
HK$92.80
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
- SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics
-
600:
HK$108.26
-
無庫存前置作業時間 22 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT025W120G3-4
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
37 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
388 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
- SCT027TO65G3
- STMicroelectronics
-
1,800:
HK$69.71
-
無庫存前置作業時間 20 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT027TO65G3
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
|
|
無庫存前置作業時間 20 週
|
|
最少： 1,800
倍數： 1,800
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
- SCT040W120G3
- STMicroelectronics
-
600:
HK$106.28
-
無庫存前置作業時間 32 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040W120G3
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
|
|
無庫存前置作業時間 32 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
40 A
|
54 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$47.59
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070H120G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
223 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
HK$89.93
-
無庫存前置作業時間 22 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3-4
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
|
HK$89.93
|
|
|
HK$53.68
|
|
|
HK$48.74
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
236 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$99.87
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
|
HK$99.87
|
|
|
HK$81.30
|
|
|
HK$67.82
|
|
|
HK$56.39
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
-
448:
HK$469.77
-
無庫存前置作業時間 20 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCTHCT250N12G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
|
|
無庫存前置作業時間 20 週
|
|
最少： 448
倍數： 448
|
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
- SCTWA90N65G2V
- STMicroelectronics
-
600:
HK$164.40
-
無庫存前置作業時間 22 週
|
Mouser 元件編號
511-SCTWA90N65G2V
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
119 A
|
24 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
5 V
|
157 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
565 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$152.89
-
無庫存前置作業時間 18 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT012HU90G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
|
HK$152.89
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$88.37
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT019H120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$57.21
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040H65G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$56.14
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040W65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
|
HK$56.14
|
|
|
HK$51.13
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$41.10
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT055H65G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$87.30
-
無庫存前置作業時間 21 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT055H65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 21 週
|
|
|
HK$87.30
|
|
|
HK$60.50
|
|
|
HK$50.31
|
|
|
HK$47.02
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
香港