CA 碳化矽MOSFET

結果: 1,322
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 1,920庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 1,145庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 499庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 425庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 20MW 1200V 937庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated 碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 217庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101 372庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE 781庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 150庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial 411庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial 3,481庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 982庫存量
210在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 321庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC 115庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 301庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 486庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 764庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 810庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247 618庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 545庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247 1,877庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

IXYS 碳化矽MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement